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      漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      110

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      140

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      25

      通道极性（xìng）：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      550V,140mΩ,25A,N沟道基（jī）于超（chāo）级（jí）结技（jì）术的功（gōng）率MOSFET


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